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Fairchild Semiconductor FDD2582
| Artikelnummer: | FDD2582 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Fairchild Semiconductor FDD2582 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDD2582.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 7A, 10V Verlustleistung (max) 95W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta), 21A (Tc) -
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